英飛凌推出采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術的新一代DrMOS器件DrBlade

    2013年3月27日，北京——英飛凌科技股份公司 （FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY）近日在2013應用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創(chuàng)新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件，它集成了DC/DC 驅動器及MOSFET VR功率級。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅動器技術及OptiMOS™ MOSFET器件。該MOSFET 技術擁有最低的單位面積導通阻抗及針對應用優(yōu)化的品質(zhì)因數(shù)，能達到最高的DC/DC調(diào)壓系統(tǒng)效率，適用于計算及電信應用，包括刀片服務器和機架服務器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。

    全新Blade封裝技術

    英飛凌創(chuàng)新的Blade封裝技術，采用芯片嵌入概念，使用電鍍制程取代標準的封裝制程，例如邦線、夾焊以及常見的模制技術。此外，芯片也以疊層薄片進行保護。其結果是大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感，同時還降低熱阻。

    英飛凌低壓功率轉換產(chǎn)品資深總監(jiān)Richard Kuncic表示：“英飛凌是業(yè)界第一家推出采用Blade技術的集成了驅動器及MOSFET半橋的半導體公司。DrBlade的推出可提升服務器應用在全負載范圍的效率，再度證明我們在功率半導體領域的領導地位。”

    節(jié)省空間，提高效率

    DrBlade封裝面積為5x5mm，高度僅為0.5mm，可滿足計算系統(tǒng)對于更高功率密度及節(jié)省空間的需求。DrBlade擁有優(yōu)化的引腳規(guī)劃，可簡化PCB布局。采用全新的芯片嵌入式封裝技術，再結合英飛凌的OptiMOS MOSFET，這使DrBlade成為低壓市場的最佳穩(wěn)壓解決方案。

    上市時間與定價

    DrBlade樣品已開始提供，并于2013年第二季度量產(chǎn)。
關于英飛凌全新Blade系列產(chǎn)品的更多信息，請訪問： www.infineon.com/drblade。

    關于英飛凌

    總部位于德國紐必堡的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域——高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。2012財年（截止到9月30日），公司實現(xiàn)銷售額39億歐元，在全球擁有約26,700名雇員。英飛凌科技公司的業(yè)務遍及全球，在美國苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。英飛凌公司目前在法蘭克福股票交易所（股票代碼：IFX）和美國柜臺交易市場（OTCQX）International Premier（股票代號：IFNNY）掛牌上市。

    英飛凌在中國

    英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國市場。自1996年在無錫建立第一家企業(yè)以來，英飛凌的業(yè)務取得非常迅速的增長，在中國擁有約1960名員工（截止到2012年9月30日），已經(jīng)成為英飛凌亞太乃至全球業(yè)務發(fā)展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場、技術支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國內(nèi)領先的企業(yè)、高等院校開展了深入的合作。

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