意法半導體的穩(wěn)健的隔離式SiC柵極驅動器采用窄型 SO-8 封裝可節(jié)省空間

　　SiC功率技術被廣泛用于提高功率轉換效率，SiC驅動器STGAP2SiCSN可以簡化節(jié)能型電源系統(tǒng)、驅動和控制電路的設計，節(jié)省空間，并增強穩(wěn)健性和可靠性。目標應用包括電動汽車充電系統(tǒng)、開關式電源、高壓功率因數(shù)校正器(PFC)、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)、太陽能發(fā)電、電機驅動設備、風扇、工廠自動化、家用電器、電磁爐。

　　STGAP2SiCSN在柵極驅動通道和低壓控制之間有電流隔離，在高壓軌上可以耐受高達1700V的電壓。輸入到輸出傳播時間小于75ns，確保PWM控制精度高。±100V/ns共模瞬變抗擾度(CMTI)保證開關可靠性。內置保護功能包括欠壓鎖定和熱關斷，欠壓鎖定(UVLO)通過閾值電壓防止SiC電源開關在低能效或不安全條件下工作。在檢測到結溫過高后，熱關斷降低驅動器的兩個輸出。

　　新產品提供兩種配置選擇，獨立多輸出配置可以使用外部電阻單獨優(yōu)化導通和關斷時間，而單輸出配置具有源米勒鉗位功能，可以增強高頻硬開關應用的穩(wěn)健性，利用米勒鉗位防止功率開關過度振蕩。

　　STGAP2SiCSN邏輯輸入兼容低達3.3V的TTL和CMOS邏輯信號，簡化了與主微控制器或DSP處理器的連接。在高達26V的柵極驅動電壓下，驅動器的最大吸電流和拉電流均為4A。片上集成的自舉二極管簡化了設計并提高了可靠性，關斷模式有獨立輸入引腳，有助于大限度地降低系統(tǒng)功耗。

　　STGAP2SiCSNTR現(xiàn)已上市，采用5mm x 4mm寬體SO-8N封裝。