富士電機：重點布局新能源領域 加大中大容量模塊投入

　　2021年雖然全球疫情蔓延，在原材料采購和物流方面都受到了影響，但是富士電機還是達成了年初的計劃。

　　富士電機一直致力于產品的技術革新以滿足電力電子裝置對于功率半導體模塊的小型化，低損耗及高可靠性應用的需求。2021年富士電機推出了基于第七代IGBT模塊技術的新一代工業(yè)RC-IGBT（Reverse-ConductingIGBT)模塊產品系列。RC-IGBT將反向并聯(lián)連接的IGBT芯片和FWD芯片的功能集成到單個芯片上，工作時的等效散熱面積更大，可以大大降低結到殼熱阻。通過X系列芯片技術的低損耗和基于RC-IGBT的散熱性能的提高，逆變器的輸出功率密度得以進一步提升一個等級。

RC-IGBT

　　富士電機提供利用世界最先進技術的IGBT模塊，用于環(huán)保、節(jié)能和自動化領域。同時，特別專注于可以為碳中和做出貢獻的電動汽車、風力發(fā)電和太陽能發(fā)電領域，努力提升產品性能和質量，以更好的服務客戶。此外，富士電機將在深圳地區(qū)擴建IGBT工廠，靈活應對交貨期。

　　功率半導體作為電力能源的核心部件，富士電機的功率器件在火力發(fā)電向風電、太陽能等新能源發(fā)電轉型的過程中發(fā)揮了重要的作用。目前，富士電機提供第7代X系列和RC-IGBT，但未來還將開發(fā)第8代IGBT和SiC產品，并努力推進碳中和，以進一步提高性能。

　　富士電機早在2014年就推出了平面結構的全碳化硅模塊應用在本社電力電子部門研發(fā)的光伏逆變器（1MW)中。相比較于傳統(tǒng)的硅模塊，損耗可以降低7成左右，達到了當時的業(yè)界最高效率98.8%，獲得了市場的廣泛好評。2018年推出了基于第一代溝槽柵結構的全碳化硅模塊。開發(fā)中的第二代SiC-Mosfet，通過芯片減薄和溝槽間距微細化技術T單位面積的導通電阻比第一代降低了23%。另外模塊內部的端子結構也進行了重新設計，大大降低了模塊的寄生電感。模塊的封裝外形將繼續(xù)保持與傳統(tǒng)的硅模塊的封裝兼容避免客戶在系統(tǒng)結構上做重新設計，節(jié)省開發(fā)資源。預計將會在2023年進行量產，主要面向EV、風力發(fā)電、太陽能發(fā)電、高壓變頻器等各類高壓應用。

SiC模塊

　　保護地球環(huán)境，防止全球變暖，實現可持續(xù)發(fā)展社會（SDGs）已經是全世界的共識。中國政府也在2020年底提出了“2030年前實現碳達峰，2060年之前實現碳中和”的宏偉目標。要實現這些目標，電力電子技術的技術革新和應用領域的擴大是至關重要的。富士電機預計未來工業(yè)自動化領域的產業(yè)升級將會繼續(xù)深化進行，光伏和風力發(fā)電、電動汽車等新能源產業(yè)將會保持持續(xù)的高速增長。富士電機也將重點布局新能源領域，今后會進一步加大在中大容量模塊的投入。2022年，富士電機計劃在保持工業(yè)IGBT模塊的穩(wěn)定增長之外，還將加強電動汽車IGBT模塊的生產和銷售。